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NTP75N06, NTB75N06, NTBV75N06
10000
12
8000
6000
4000
V DS = 0 V
C iss
C rss
V GS = 0 V
C iss
T J = 25 ° C
10
8
6
Q 1
Q 2
Q T
V GS
2000
C oss
C rss
4
2
I D = 75 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS 0 V DS
5
10
15
20
25
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
80
70
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t f
t r
60
50
10
t d(off)
40
30
1
1
t d(on)
10
V DS = 30 V
I D = 75 A
V GS = 5 V
100
20
10
0
0.6
0.64 0.68 0.72 0.76 0.8
0.84 0.86 0.92 0.96
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variations
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
10 m s
1000
I D = 75 A
100
T C = 25 ° C
100 m s
800
600
1 ms
400
10
10 ms
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
200
1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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